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本发明公开了一种LED芯片结构、其制备方法以及显示模组，LED芯片结构，包括依次层叠的N型层、量子肼有源层和P型层，所述LED芯片结构还设有若干孔结构，所述孔结构依次贯穿所述P型层和所述量子肼有源层，直至所述N型层内部，所述孔结构内设有量子点，所述量子点位于所述孔结构的底部，所述量子点与所述N型层直接接触且所述量子点不与所述量子肼有源层直接接触。本发明通过将量子点仅填充至N型层内部，将量子点与量子肼有源层和P型层均不直接接触，避免P型层升温对量子点性能的影响。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257966 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202110396768.5 H01L 33/08 (2010.01)
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