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本公开提供了一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括在下部结构上的层间绝缘层和水平层；垂直存储结构，在垂直方向上穿过堆叠结构；第一阻挡结构和第二阻挡结构，在垂直方向上穿过堆叠结构并且彼此平行；穿过堆叠结构的支撑物图案；以及穿过堆叠结构的贯穿接触插塞。第一阻挡结构包括在第一方向上排列并彼此间隔开的第一阻挡图案以及在第一方向上排列并彼此间隔开的第二阻挡图案。第一阻挡图案和第二阻挡图案中的每个包括在第一方向上延伸的线形形状。在彼此相邻的第一阻挡图案和第二阻挡图案中，第一阻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114188337 A
(43)申请公布日 2022.03.15
(21)申请号 202111079273.6
(22)申请日 2021.09.15
(30)优先权数据
10-2020-0
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