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本发明提供一种闪存器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有浮栅结构层和字线；字线的侧壁以及字线与衬底之间形成有隧穿氧化层；形成隔离层，隔离层覆盖浮栅结构层表面、字线顶部、以及位于字线侧壁的隧穿氧化层；形成控制栅层，控制栅层覆盖隔离层的表面；采用自对准刻蚀工艺刻蚀控制栅层、隔离层以及浮栅结构层，形成控制栅、隔离结构和浮栅，隔离结构为L形且包括相连接的隔离水平部和隔离垂直部，隔离水平部位于浮栅和控制栅之间，隔离垂直部位于字线侧壁的隧穿氧化层与控制栅之间。本发明另辟蹊径通过自对准刻蚀工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264772 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202310189404.9
(22)申请日 2023.02.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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