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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在生长p型GaN层时，可以先在多量子阱层上生长第一p型GaN子层，并在生长完第一p型GaN子层之后，使用离子束均匀地轰击第一p型GaN子层的表面一定时长。离子束会在第一p型GaN子层的表面均匀地制造出较多原子级缺陷。继续在第一p型GaN子层上生长第二p型GaN子层时，第二p型GaN子层与第一p型GaN子层的界面处会出现大量应力及缺陷交错湮灭的情况，第二p型GaN子层的远离衬底的一面原子级缺陷较少，第二p型GaN子层的远离衬底的一面也
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113284992 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110324236.0 H01L 33/32 (2010.01)
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