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- 2023-06-17 发布于四川
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一种方法包括提供一种结构，该结构具有在衬底上方的第一鳍和第二鳍并且通常沿着第一方向纵向定向和第一鳍和第二鳍上方的源极/漏极(S/D)部件；形成覆盖S/D部件的层间介电(ILD)层；至少对S/D部件之间的区域执行第一蚀刻工艺，从而在ILD层中形成沟槽；在沟槽中沉积介电材料；执行第二蚀刻工艺以选择性地使介电材料凹进；然后执行第三蚀刻工艺以选择性地使ILD层凹进，从而形成暴露S/D部件的接触孔。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284849 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110195656.3 H01L 29/10 (2006.01)
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