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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。复合电子阻挡层设置为p型掺杂GaN层与n个复合结构，n个复合结构沿p型掺杂GaN层的生长方向依次间隔插设在p型掺杂GaN层内。p型掺杂GaN层本身及p型GaN层内缺陷较少，p型掺杂GaN层本身也可以提供较为充足的空穴，最终进入多量子阱层内的空穴数量可以得到增加，发光二极管的发光效率可以得到提高。每个复合结构均包括沿p型掺杂GaN层的生长方向依次层叠的AlInN子层、InGaN子层与AlGaN子层，复合结构本身可以起到一定的阻挡作用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113284996 B
(45)授权公告日 2022.08.12
(21)申请号 202110348802.1 H01L 33/06 (2010.01)
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