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实施方式提供一种抑制存储单元的倒塌并且使集成密度提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1积层体，沿着第1方向积层；第2积层体，沿着第1方向积层；及第1结构体，包含至少1个存储器结构体，且设置在第1积层体与第2积层体之间。至少1个存储器结构体包含第1半导体膜、第1电荷蓄积膜、第2半导体膜及第2电荷蓄积膜，第1积层体及第2积层体分别包含：第1部分、第2部分及第3部分，分别沿着与第1方向交叉的第2方向延伸，其中，第1部分在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上设置在第2部分与第3部分之间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114203716 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202110006567.X
(22)申请日 2021.01.05
(30)优先权数据
2020-1564
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