半导体存储装置.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体存储装置.pdf

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实施方式提供一种动作稳定的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1栅极电极层，在第1方向上延伸；第2栅极电极层，在第1方向上延伸，在与第1方向交叉的第2方向上与第1栅极电极层隔开；半导体层，设置于第1栅极电极层与第2栅极电极层之间，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；以及介电层，包围半导体层，含有铪及锆的至少任一个与氧，且包含设置于第1栅极电极层与半导体层之间且以斜方晶系或三方晶系的结晶作为主要构成物质的第1区域、设置于第2栅极电极层与半导体层之间且以斜方晶系或三方晶系的结晶作

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203807 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202110214726.5 (22)申请日 2021.02.25 (30)优先权数据