薄膜晶体管及制备方法、显示基板.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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本申请实施例公开了一种薄膜晶体管及制备方法、显示基板,所述薄膜晶体管包括屏蔽结构和有源层,所述屏蔽结构具有第一凹槽,所述有源层的部分或全部厚度区域位于所述第一凹槽内。本申请薄膜晶体管及制备方法、显示基板,通过屏蔽结构能屏蔽TFT器件下方或侧面的有机膜层或无机膜层中的移动电荷对有源层的影响,使TFT器件保持优异的电学特性,改善复原残像的问题,获得性能优异的柔性显示屏幕。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113284945 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 202110393579.2 (51)Int.Cl.

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