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三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺.pdf

    在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114450772 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202080067413.5 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限

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