项目一 霍尔传感器.pptxVIP

项目一 霍尔传感器; 1.1 霍尔元件的结构及工作原理 ; 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片C、D方向的端面之间建立起霍尔电势EH。;1.1.2 霍尔传感器原理：;1.1.2 霍尔传感器原理：;1.1.2 霍尔传感器原理：; 1.1.3 霍尔元件材料:; 1.1.3 霍尔元件材料:; 磁感应强度B较大时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。EH=SH IB ;磁感应强度B为零时的情况; 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为: ;1.2.1 最大磁感应强度BM ;1.2.2 额定激励电流IH :;1.2.3 输入电阻Ri :;1.2.6 寄生直流电势V0:;1.3 霍尔传感器集成电路;1.3.1 线性型霍尔传感器特性;1.3.2、开关型霍尔传感器集成电路;;开关型霍尔集成电路与继电器的接线;开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 ; 1.4 霍尔传感器的应用 ;讫今为止，已在现代