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本发明提供一种存储器的制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决位线接触内易出现空洞或缝隙的技术问题。该制作方法包括：提供基底，基底包括核心区和外围区，核心区上设有第一阻挡层；在基底上依次层叠形成第一导电层和第一掩膜层；刻蚀核心区的第一掩膜层、第一导电层和第一阻挡层，形成第一刻蚀孔；沿第一刻蚀孔刻蚀基底，形成位线接触孔；去除核心区且位于位线接触孔周围的第一掩膜层和第一导电层；在位线接触孔内形成位线接触，位线接触背离基底的表面与第一阻挡层背离基底的表面齐平。通过去除部分第一掩膜层和第一导电层，降低了第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113284852 B
(45)授权公告日 2022.03.15
(21)申请号 202110527256.8 H01L 21/311 (2006.01)
(22)申请日
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