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- 2023-06-19 发布于四川
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本申请提供了一种制造三维存储器的方法及三维存储器。该方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底中的沟道结构和栅线缝隙，并经由栅线缝隙在叠层结构内形成栅极层，沟道结构包括功能层和沟道层；在栅线缝隙的内壁上形成沉积层并在栅线缝隙中设置导电填充物；去除部分衬底、部分沉积层以及部分功能层，以暴露导电填充物和沟道层；在衬底的远离叠层结构的一侧上形成与所暴露的导电填充物和沟道层接触的导电层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113284907 B
(45)授权公告日 2022.07.01
(21)申请号 202110525974.1 审查员 贾少鹏
(22)申请日 2021.05.14
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