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一种具有终端保护区的超结MOS型器件.pdfVIP

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  • 2023-06-19 发布于四川
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一种具有终端保护区的超结MOS型器件.pdf

    本发明公开了一种具有终端保护区的超结MOS型器件，从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区和元胞区，在终端区和元胞区之中有着多个相互独立的周围环绕有P型掺杂柱的氧化硅区，且氧化硅区深度大于P型掺杂柱的深度；通过将P柱形成于氧化硅区侧面，避免了多次光刻和外延生长等繁琐昂贵的工艺步骤，节省了成本，同时可以获得更加平齐、均匀的P柱；比P型掺杂柱更深的氧化硅区，使得P型掺杂柱可以更接近于矩形；终端区的P型低掺杂区连接相邻的P型掺杂柱，形成等位环，优化了器件表面电场，从而提高了器件耐压水平。本发明属于半导体功

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284942 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110580389.1 (22)申请日 2021.05.26 (71)申请人 四川蓝彩电子科技有限公司

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