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- 2023-06-19 发布于四川
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本发明公开了一种基于拓扑光子的半导体涡旋光激光器。本发明属于光电子器件领域。该激光器由上往下依次为:p电极层、p型欧姆接触层、二维光子拓扑结构层、折射率引导层、有源层、n型欧姆接触层和n电极层。其中,二维光子拓扑结构是由具有光子自旋‑轨道耦合效应光子晶体阵列构成,光子晶体由电压层和磁压层交替堆叠而成,通过上述二维光子拓扑结构对有源区内的光场相互作用,从而产生涡旋激光光束。本发明通过二维拓扑光子学结构来改变激光输出的自旋特性,有效地实现了高集成的涡旋激光输出。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113285346 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110531795.9
(22)申请日 2021.05.14
(71)申请人 北京邮电大学
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