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- 2023-06-19 发布于四川
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本发明公开了一种掺氮晶型金刚石半导体材料，属于金刚石半导体领域。其中，所述掺氮晶型金刚石半导体复合材料包括以高温高压法制得的IIa型金刚石晶体作为衬底材料，以CH4、Ar和NH3作为气体源，在衬底材料上生长出的掺氮晶型金刚石。本发明进一步公开了制备所述掺氮晶型金刚石半导体材料的方法。利用本发明制备的掺氮晶型金刚石半导体材料，具有较好的电学性能和半导体性能，可以推动金刚石半导体器件的发展，也将有助于金刚石基半导体器件的产业化发展。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113278947 B
(45)授权公告日 2022.01.04
(21)申请号 202110586165.1 C30B 29/04 (2006.01)
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