一种TFT基板结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-20 发布于四川
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本发明涉及TFT基板结构,特别涉及一种TFT基板结构及其制备方法,括玻璃基板,在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层,第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间,钝化层上开设有第二过孔,第一绝缘层上开设有第三过孔,第二缓冲层上开设有第四过孔,第二绝缘层上开设有第五过孔,第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞,使得OC洞的横截面增大,这样PI液可流动扩散的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327943 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110613097.3 (22)申请日 2021.06.02 (71)申请人 福建华佳彩有限公司 地

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