标准半桥高频开关电源设计.docx

承受 SG3525 的半桥高频开关电源 引言 随着 PWM 技术的不断进展和完善，开关电源以其高的性价比得到了广泛的应用。开关电源的电路拓扑构造很多, 常用的电路拓扑有推挽、全桥、半桥、单端正激和单端反激等形式。其中, 在半桥电路中, 变压器初级在整个周期中都流过电流, 磁芯利用充分，且没有偏磁的问题，所使用的功率开关管耐压要求较低，开关管的饱和压降削减到了最小，对输入滤波电 容使用电压要求也较低。由于以上诸多缘由, 半桥式 变换器在高频开关电源设计中得到广泛的应用。 SG3525 芯片的工作原理 PWM 掌握芯片 SG3525 具体的内部引脚构造如图 1 及图 2 所示。其中，脚 16 为 SG3525 的基准电压源输出，精度可以到达〔 5.1±1％〕V，承受了温度补偿，而且设有过流保护电路。脚5、脚 6、脚 7 内有一个双门限比较器，内设电容充放电电路，加上外接的电阻电容电路共同构成 SG3525 的振荡器。振荡器还设有外同步输入端(脚 3)。脚1 及脚 2 分别为芯片内部误差放大器的反相输入端、同相输入端。该放大器是一个两级差分放大器，直流开环增益为70dB 左右。依据系统的动态、静态特性要求，在误差放大器的输出脚 9 和脚 1 之间一般要添加适当的反响补偿网络。 图 1 SG3525 的 图 2 图 2 SG3525 的内部框图 电源系统介绍 本文设计的是 250v/3A 的半桥高频开关电源，电路由主电路和掌握电路组成。 主电路构造及其工作原理 半桥式开关电源主电路如图 3 所示。图中开关管Q1、Q2 选用 MOSFET, 由于它是电压驱动全控型器件,具有驱动电路简洁、驱动功率小、开关速度快及安全工作区大等优点。半桥式 逆变电路一个桥臂由开关管 Q1、Q2 组成, 另一个桥臂由电容 C6、C7 组成。高频变压器初级一端接在 C6、C7 的中点, 另一端接在 Q1、Q2 的公共连接端, Q1、Q2 中点的电压等于整流后直流电压的一半,开关 Q1、Q2 交替导通就在变压器的次级形成幅值为V i/2 的沟通方波电压。通过调整开关管的占空比, 就能转变变压器二次侧整流输出平均电压V o。Q1、Q2 断态时承受的峰值电压均为V i，由于电容的隔直作用，半桥型电路对由于两个开关管导通时间不对称而造成的变压器一次电压的直流重量具有自动平衡作用，因此该电路不简洁发生变压器偏磁和直流磁饱和的问题，无须另加隔直电容。变压器原边并联的 R2、C5 组成 RC 吸取电路，用来吸取高频尖峰。值得留意的是，在半桥电路中，占空比定义为[2]： D=2ton/Ts 掌握电路 掌握电路是开关电源的核心局部，掌握环节的好坏直接影响电路的整体性能，在这个电路 中承受的是以SG3525芯片为核心的掌握电路。如图4 所示,承受恒频脉宽调制掌握方式。误差放大器的输入信号是电压反响信号,是由输出电压经分压电路猎取,与一般误差放大器的接法不同的是该电压反响接成射极跟随器形式，反响信号比较准确，因而可以准确地掌握占空比调整输出电压，提高了稳压精度。SG3525芯片振荡频率的设定范围为100～ 500 kHz, 芯片的脚5 和脚7 间串联一个电阻Rd 就可以在较大范围内调整死区时间。 SG3525的振荡频率可表示为[2]： f s =1/(CT (0.7RT + 3R d)) 式中: CT , RT 分别是与脚5、脚6 相连的振荡器的电容和电阻; R d 是与脚7 相连的放电端 电阻值。此处CT 、 RT 、R d分别为图中的C53、R47、R48，取值分别为2200p、10k、100， 即频率为62khz。管脚8 接一个电容的作用是用来软启动，削减功率开关管的开机冲击。11 和14 脚输出承受图腾柱输出,本电路承受外加驱动隔离电路，增加了驱动力量和电源的牢靠性。驱动隔离电路如图5 所示。 保护电路是开关电源中必不行少的补充，在这个电路中承受了输入过流保护、输出过流保 护、过宠保护等。输入过流保护是通过在原边主电路中串入小磁环，小磁环感应电压输出经 过整流桥将电流信号转为电压信号〔plp〕经一个三极管接至软启动8脚，当原边电流大于设定值即plp高于0.7v时则将8脚电压拉低， 关断3525的PWM的输出从而保护电路。输出过流保护 是通过在副边主回路中串联分流器，取样分流器两端的电压信号送到误差放大器的反相端， 正常工作时运放输出高电平，当输出过流时，运放输出为低电平，从而拉低电压反响信号， 从而使PWM 占空比减小，实现输出电流保护。过宠保护是通过一个温控开关接到3525 的10 脚来实现的，当过热时温控开关闭合以关闭使8 脚电压拉低从而关闭PWM 输出。 高频变压器的设计 原副边电压比n 电压比计算的原则是电路在最大占空比和最低输入