籽晶铺设方法和单晶硅铸造方法.pdfVIP

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2023-06-20 发布于四川
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籽晶铺设方法和单晶硅铸造方法.pdf

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本发明提供了一种籽晶铺设方法和单晶硅铸造方法，该籽晶铺设方法包括如下步骤：在铸造容器底部铺设多块单晶籽晶，并将多块单晶籽晶整体拼合为籽晶层，在侧面相拼接的单晶籽晶中，相互接触的两个侧面之间的晶向不同；多块单晶籽晶包括至少一块长方形籽晶与多块第一正方形籽晶，多块第一正方形籽晶拼接形成整体呈正方形的基础籽晶部，长方形籽晶的长边与基础籽晶部的侧边对齐拼接，长方形籽晶长边的长度与基础籽晶部侧边的长度相等，长方形籽晶的短边长度大于第一正方形籽晶的边长。该籽晶铺设方法能够在生长的硅锭的最外围形成牺牲区域，进

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113293434 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110583418.X (22)申请日 2021.05.27 (71)申请人江苏协鑫硅材料科技发展有限公司

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