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本发明公开了一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法,所述方法包括合成CBO种子层;使用CBO种子层合成CBO纳米棒阵列光电阴极;合成F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极,将步骤S2中得到的CBO纳米棒阵列光电阴极放入NaF溶液中浸泡2h,取出烘干,300℃退火1h后得到F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料。本发明有益效果在于:所需原料绿色无毒、来源丰富,制备方法重复性好,可大规模合成;本发明制备的材料可用于光电催化还原O2生产H2O2,反应高效,操作简单,制备的材料稳定性好,具有很好的实
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113308711 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202110579182.2 C25B 11/054 (2021.01)
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