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本申请公开了一种终端结构、半导体器件及制作方法，终端结构包括第一导电类型的漂移区，漂移区设置有沟槽、第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区，沟槽为阶梯型，包括第一深度区和第二深度区；第一深度区填充有介电材料，介电材料中插入有第一电极，第二深度区填充有多晶硅场板；第一掺杂区上设置有第二电极，第二电极分别与多晶硅场板和第一电极连接。该阶梯型沟槽的终端结构，多晶硅场板构成一级场板，可以防止第一体区与漂移区形成的PN结被提前击穿，第一电极构成二级场板，可以防止第一深度区的底部角落处被提前击穿，该终
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113299745 B
(45)授权公告日 2022.04.15
(21)申请号 202110651513.9 (56)对比文件
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