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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本公开针对具有低水平的泄漏电流和低功耗的全环栅(GAA)晶体管结构。例如，GAA晶体管包括在其上设置有第一源极/漏极(S/D)外延结构和第二S/D外延结构的半导体层，其中第一和第二S/D外延结构被半导体纳米片层隔开。半导体结构还包括插入在半导体层与第一和第二S/D外延结构中的每一个之间的隔离结构。GAA晶体管还包括围绕半导体纳米片层的栅极堆叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314611 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110318514.1 B82Y 10/00 (2011.01) (22)申请日 2

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