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2023-06-20 发布于四川
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本发明实施例是有关于一种存储器装置和其形成方法。一种3D存储阵列包括一行的多个堆叠，每个堆叠具有交替的多个栅极条和多个介电条。多个介电插塞设置在堆叠之间并界定多个单元区域。数据存储膜和沟道膜在单元区域的侧面上邻近堆叠设置。单元区域的中间区域填充有单元内介电质。多个源极线和多个漏极线形成穿过单元内介电质的多个通孔。源极线和漏极线各自设置有朝向单元区域内部的凸起部。凸起部增加源极线和漏极线的面积，而不减小沟道长度。在本揭露内容中的一些教示内容中，通过将数据存储膜或沟道层限制在与堆叠相邻的单元区域的侧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113299655 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110573358.3 H01L 27/11556 (2017.01)

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