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本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体公开了一种界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法与应用。所述高效界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法，从底层到顶层分别为FTO透明电极基底、铜掺杂氧化镍、双修饰层、A位掺杂的混合阳离子Kδ‑CsFAMA基钙钛矿活性层、钝化层(二维钙钛矿)、PCBM、双修饰层和顶部电极银。此方法有效解决了反式结构钙钛矿太阳电池中存在的严重非辐射和界面接触差等问题，已开发的反式钙钛矿太阳电池组件效率接近17％，为高效稳定的钙钛矿光伏组件的商业化提供技术储备。可以应用于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113299833 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202110406755.1 (51)Int.Cl.
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