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本发明涉及一种晶圆研磨方法及晶圆失效分析方法。所述晶圆研磨方法包括如下步骤：提供初始晶圆，位于所述初始晶圆的边缘的裸芯片中具有测试地址；形成重组晶圆，使得具有所述测试地址的裸芯片位于所述重组晶圆的中部；进行至少一次如下循环步骤，所述循环步骤包括：于所述重组晶圆暴露的当前层上形成保护层，所述保护层至少位于所述测试地址上方；研磨所述重组晶圆中未被所述保护层覆盖的所述当前层；去除所述保护层和所述保护层下方残留的所述当前层；判断所述测试地址是否暴露，若否，则以暴露的所述下一层作为下一次循环步骤的当前层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113299573 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202110465899.4 H01L 23/544 (2006.01)
(22)申请日 2021.0
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