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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    公开了一种半导体结构，包括第一导线和第一电源轨以及布置在第一导线和第一电源轨之间的第一晶体管结构。第一导线和第一电源轨在第一方向上相互分离。第一晶体管结构包括通过第一通孔耦合到第一导线的第一有源区；以及第一有源区。第二有源区通过第二通孔耦合到第一电源轨；第一栅极结构，介于第一有源区和第二有源区之间，并被配置为接收第一控制信号。第一晶体管结构响应于第一控制信号在第一导线和第一电源轨之间传输信号。本发明的实施例还公开了一种半导体器件及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345892 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110530318.0 (22)申请日 2021.05.14 (30)优先权数据

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