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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法,该半导体器件包括掺杂区,掺杂区内形成源区和/或漏区,掺杂区具有第一导电类型,源区和/或漏区具有第二导电类型;垫高层形成于源区和/或漏区上并与源区和/或漏区接触,垫高层具有第二导电类型;层间介质层形成于掺杂区和垫高层上;电极穿透介质层并延伸至垫高层内部以与垫高层电连接。本申请通过在源区和/或漏区上增加垫高层,在开设接触孔的刻蚀过程中,即使刻蚀工艺精度不高,也可以减小接触孔过于接近耗尽层而导致结漏电。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380885 A
(43)申请公布日
2021.09.10
(21)申请号 20201
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