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一种SiGe结构载流子浓度的监控方法.pdfVIP

一种SiGe结构载流子浓度的监控方法.pdf

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    本发明提供一种SiGe结构载流子浓度的监控方法，包括：获得SiGe结构的空穴载流子浓度与SiGe结构的电阻率之间的相关性数据；提供监控晶圆片，以与产品晶圆片相应的SiGe工艺在所述监控晶圆片的表面形成具有P型掺杂离子的SiGe结构；在所述监控晶圆片的表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述SiGe结构；获得所述监控晶圆片的电阻率，并结合所述相关性数据，得到所述产品晶圆片的空穴载流子浓度。通过在SiGe结构的表面形成阻挡层，减缓其电阻率的变化，从而实现对产品晶圆片的SiGe结构载流子浓度的准确、经济、高

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363137 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110591243.7 (22)申请日 2021.05.28 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

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