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本发明涉及半导体制造技术领域。双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法，包括如下步骤：步骤一，在盒体内注入绝缘油；盒体内固定有底座，底座包括电极底座、下弹性层以及下金属片，下金属片设有下延伸条，下延伸条与电极底座接触连接，盒体的底部安装有金属触头，金属触头与电极底座接触电连接；金属触头与局部放电测试仪的负极端子电相连；步骤二，将双面覆铜陶瓷基板放置在底座上；步骤三，将盖板放置在双面覆铜陶瓷基板上；盖板包括从上至下设置的探针盖板、上弹性层以及上金属片，上金属片设有上延伸条，上延伸条与探针盖板接触连接；步
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113376484 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110646940.8
(22)申请日 2021.06.10
(71)申请人 上海富乐华半导体科技有限公司
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