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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成鳍部和隔离层，刻蚀隔离层和部分厚度的衬底，形成电源轨开口；沿电源轨开口继续刻蚀部分厚度的所述衬底，形成通孔；在电源轨开口以及通孔内形成第一牺牲层；回刻蚀所述第一牺牲层，至所述第一牺牲层的高度占所述通孔高度的20％～80％；在电源轨开口以及通孔内形成第一金属层；减薄衬底背面，直至第一牺牲层从衬底背面露出；去除全部第一牺牲层，露出第一金属层的背部表面；在第一金属层背面形成第二金属层，第二金属层背部表面与衬底背部表面齐平。本发明实施例
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363226 A
(43)申请公布日
2021.09.07
(21)申请号 20201
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