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2023-06-21 发布于四川
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本发明提供一种横向双扩散晶体管，该横向双扩散晶体管的主件区包括第一晶体管、第二晶体管和设置在所述第一晶体管与第二晶体管之间的第一ESD器件；所述第一晶体管和第二晶体管具有共连的源端、共连的漏端、共连的栅端和共连的体端；所述第一ESD器件包括接在所述共连的栅端上的负极，以及设置在所述负极左右两侧的两个正极，所述两个正极接在所述共连的源端上；所述副件区包括第二ESD器件，所述第二ESD器件的输入端接在所述共连的栅端，输出端接地。本发明可以克服现有技术中ESD从漏端涌入时导致器件呈现非均匀开启而产生的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345964 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202110533925.2 H01L 27/02 (2006.01) (22)申请日 2021.05

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