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本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包含延伸穿过交替的导电层和绝缘层的堆叠的沟道材料柱。第二区域邻近所述存储器阵列区域。导电扩展件位于所述存储器阵列区域内并且与所述沟道材料柱的沟道材料电耦接。面板跨所述存储器阵列区域和所述第二区域延伸。所述面板将一个存储器块区域与另一个存储器块区域分离。所述面板具有位于所述导电扩展件之上的第一部分并且具有邻近所述第一部分的第二部分。所述面板具有底部表面。所述底部表面的第一区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113362866 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110230783.2
(22)申请日 2021.03.02
(30)优先权数据
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