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本发明提供了一种覆晶式发光二极管的结构及其制造方法,覆晶式发光二极管的结构包含基板、图案化第一电流阻挡层、图案化第二电流阻挡层、第一半导体层、主动层及第二半导体层。图案化第一电流阻挡层设置于基板上。图案化第二电流阻挡层设置于图案化第一电流阻挡层上方,其中图案化第一电流阻挡层与图案化第二电流阻挡层位于不同的平面上,并且图案化第一电流阻挡层的图案与图案化第二电流阻挡层的图案实质上为互补。第一半导体层设置于图案化第二电流阻挡层上方。主动层设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于主动层上,其中第二半导体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380932 A
(43)申请公布日
2021.09.10
(21)申请号 20201
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