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本发明的实施方式提供一种得当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的表面的多个晶体管。第2芯片具备多个第1导电层、多个第1半导体层、以及设置在多个第1导电层与多个第1半导体层的交叉部的多个存储单元。另外,第2芯片具备:第2半导体层,比多个第1导电层离半导体衬底远,且相接在多个第1半导体层;第3半导体层,比第2半导体层离半导体衬底远,且相接在第2半导体层;及第1绝缘层,包含比第3半导体层离半导体衬底远的部分、及相接在第2半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394210 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202010817821.X
(22)申请日 2020.08.14
(30)优先权数据
2020-0432
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