一种垂直霍尔传感器结构.pdfVIP

一种垂直霍尔传感器结构.pdf

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本申请适用于传感器技术领域，特别涉及一种垂直霍尔传感器结构。垂直霍尔传感器结构包括：环状的P阱，位于环状的所述P阱中的N阱，以及所述N阱上交替设置的P型区和N型区，所述P阱和所述N阱之间存在交叠区域。本申请实施例可以提高器件灵敏度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113419198 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110704155.3 (22)申请日 2021.06.24 (71)申请人深圳市海纳微传感器技术有限公司

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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