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本揭露描述一种半导体结构。半导体结构可包括：基材；栅极结构，栅极结构在基材上方；源极/漏极(S/D)接触结构，源极/漏极接触结构毗邻栅极结构；介电材料层，介电材料层在源极/漏极接触结构上方；导电层，导电层在介电材料层上方且与介电材料层接触且在源极/漏极接触结构上方；及互连结构，互连结构在导电层上方且与导电层接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394243 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110114644.3
(22)申请日 2021.01.26
(30)优先权数据
16/926,23
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