高压半导体器件横向非均匀掺杂方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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高压半导体器件横向非均匀掺杂方法.pdf

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本发明公开了一种高压半导体器件横向非均匀掺杂方法，首先，设计两块灰度光刻版；然后，在每块光刻版灰度区域，设置尺寸小于光刻分辨率的均匀栅格，并对栅格铬层开孔制得灰度图像光刻版；接着，以这两块灰度光刻版作为掩膜对光刻胶先后两次曝光，显影后产生横向厚度非均匀的光刻胶；最后透过对厚度非均匀光刻胶掩膜杂质离子注入，即可实现横向非均匀掺杂。采用上述方法，无需对注入能量、注入剂量以及高温推进扩散时间等诸多工艺参数进行调整，能够降低工艺难度和成本、缩短工艺时间；同时，双曝光增加了对非均匀掺杂范围与梯度的选择；本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113436967 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110579842.7 (22)申请日 2021.05.26 (71)申请人四川