湖南师范大学《材料科学基础》第2章晶体结构缺陷.pptVIP

（二）位错的攀移 位错的攀移指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。刃位错除了滑移外，还可进行攀移运动。 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 图2-17 刃位错攀移示意图 （a）正攀移（半原子面缩短） (b)未攀移 （c）负攀移（半原子面伸长） 位错的攀移力（使位错发生攀移运动的力）包括： （1）化学攀移力Fs，是指不平衡空位浓度施加给位错攀移的驱动力。 （2）弹性攀移力Fc，是指作用于半原子面上的正应力分量作用下，刃位错所受的力。 位错攀移的激活能Uc由割阶形成的激活能Uj及空位的扩散活化能Ud两部分所组成。常温下位错靠热激活来攀移是很困难的。但是，在许多高温过程如蠕变、回复、单晶拉制中，攀移却起着重要作用。位错攀移在低温下是难以进行的，只有在高温下才可能发生。 六、位错的反应 由于位错间相互作用力的存在，使得位错之间有可能发生相互转化或相互作用，此即位错反应。位错能否发生反应，取决于两个条件： 其一，必须满足伯氏矢量的守恒性； 其二，必须满足能量条件。 在同一滑移面的两个异向位错的相互作用，相互吸引、反应导致位错消失，变成完整晶体。 两个异向位错，在不同滑移面，上下错开一个原子间距，反应结果生成一排空位。 同向位错，在不同滑移面，当两者所成角度〈45度时，压应力重叠，张应力重叠，结果互相排斥，导致远离；当两者所成角度〉45度时，结果互相吸引，导致接近。 2.4 面缺陷 （surface defects） 面缺陷是将材料分成若干区域的边界，如表面、晶界、界面、层错、孪晶面等。 一、晶界（位错界面） （一）小角度晶界（small angle grain　boundary） （二）大角度晶界（large angle grain　boundary） 二、堆积层错 三、反映孪晶界面 一、晶界（位错界面） （一）小角度晶界（small angle grain boundary） 晶界的结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差θ小于10~15o时，称为小角度晶界。 根据形成晶界时的操作不同，晶界分为倾斜晶界（tilt boundary）和扭转晶界（twist boundary）， 如图2-18所示。 图2-18 倾斜晶界与扭转晶界示意图倾斜晶界又包括对称倾斜晶界和不对称倾斜晶界 下面先以简单立方晶体为例讨论 简单立方结构晶体的对称倾斜晶界 倾斜晶界为（100）面（晶界）。 投影面为（001）面。 两侧晶体的位向差为θ，相当于相邻晶粒绕[001]轴反向各自旋转θ/2而成。转轴是[001] 几何特征是相邻两晶粒相对于晶界作旋转，转轴在晶界内并与位错线平行。 为了填补相邻两个晶粒取向之间的偏差，使原子的排列尽可能接近原来的完整晶格，每隔几行就插入一片原子。 图2-19 简单立方晶体中的对称倾斜晶界 对称倾斜晶界是最简单的小角度晶界 （symmetrical tilt boundary）， 这种晶界的结构特点是由一系列平行等距离排列的 同号刃位错所构成。 位错间距离D、伯氏矢量b与取向差θ之间满足下列关系 由上式知，当θ小时，位错间距较大，若b=0.25nm，θ=1o，则D=14nm；若θ＞10o，则位错间距太近，位错模型不再适应。 结构特点是： 由两组相互垂直的刃位错所组成。 简单立方晶体中的不对称倾斜晶界 形成： 界面是绕[001]轴旋转角度φ的任意面，相邻两晶粒的取向差仍是很小的θ角，但界面两侧晶粒是不对称的。 界面与左侧晶粒 轴向夹角为φ-θ/2，与右侧晶粒的[100]成φ+θ/2 晶界平面是任意面 转轴是[001] 简单立方晶体扭转晶界 旋转θ角 晶面平面是（001）面，转轴是[001] 两者互相垂直 结构特点： 晶界是由两组相互垂直的螺位错构成的网络 形成：扭转后，为了降低原子错排引起的能量增加，晶面内的原子会适当位移以确保尽可能多的原子恢复到平衡位置（此即结构弛豫），不能回到平衡位置的，最后形成两组相互垂直分布的螺位错。 推广：一般的小角度晶界，其旋转轴和界面可以有任意的取向关系，因此结构特点是由刃位错、螺位错或混合位错组成的二维位错网所组成。 ——此为小角度晶界的位错模型 （二）大角度晶界（la