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- 2023-06-22 发布于四川
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提供一种半导体器件及其制造方法。栅极结构以及源极端子和漏极端子位于绝缘介电层中，并且源极端子和漏极端子分别位于栅极结构的两个相对端处。沟道区夹置在栅极结构与源极端子和漏极端子之间且环绕栅极结构。沟道区在源极端子与漏极端子之间延伸。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394296 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110654837.8 H01L 21/34 (2006.01)
(22)申请日 2
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