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本发明的各种实施例针对一种将平面场效应晶体管(FET)与鳍式场效应晶体管(finFET)一起嵌入的方法。对半导体衬底进行图案化以限定台面和鳍。形成覆盖半导体衬底并围绕台面和鳍的沟槽隔离结构。在台面上而不是在鳍上形成第一栅介电层。在形成第一栅介电层之后使沟槽隔离结构在鳍而不是台面周围凹陷。沉积在台面处覆盖第一栅介电层并进一步覆盖鳍的第二栅介电层。形成在台面处覆盖第一栅介电层和第二栅介电层并部分地限定平面FET的第一栅电极。形成在鳍处覆盖第二栅介电层并部分地限定finFET的第二栅电极。本发明的实施
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394274 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110276521.X H01L 21/768 (2006.01)
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