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本公开涉及半导体器件和方法。实施例包括一种方法，该方法包括：在半导体器件的金属栅极结构的切割金属栅极区域中形成开口；在开口中共形地沉积第一电介质层；在第一电介质层之上共形地沉积硅层；对硅层执行氧化工艺以形成第一氧化硅层；用第二氧化硅层填充开口；对第二氧化硅层和第一电介质层执行化学机械抛光，以形成切割金属栅极插塞，化学机械抛光暴露出半导体器件的金属栅极结构；以及形成到金属栅极结构的第一部分的第一接触件和到金属栅极结构的第二部分的第二接触件，金属栅极结构的第一部分和第二部分被切割金属栅极插塞分离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451209 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202010941168.8
(22)申请日 2020.09.09
(30)优先权数据
16/923,65
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