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本发明公开一种WO3纳米线电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变色器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113549882 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110616860.8 CN 105551579 A,2016.05.04
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