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- 2023-06-23 发布于四川
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本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113488525 B
(45)授权公告日 2023.05.26
(21)申请号 202110745217.5 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2021.07
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