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该发明涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法，其中所述晶圆处理装置具有喷淋单元用于喷淋光刻胶去除液以去除光刻胶，还包括加热单元，安装至所述喷淋单元，用于使所述光刻胶去除液升温至一预设温度。本发明的晶圆处理装置及晶圆处理方法对光刻胶去除液进行了加热，使光刻胶去除液的温度达到一预设温度，使得所述光刻胶去除液溶解光刻胶的速度更快，溶解的也更彻底，能够更彻底的去除所述晶圆表面的光刻胶，提高晶圆的良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113448186 A
(43)申请公布日
2021.09.28
(21)申请号 20201
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