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一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-23 发布于四川
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一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种宽度渐变的硅基探测器，包括：SOI衬底，包括:底部硅材料层，二氧化硅填埋层，顶层硅，顶层硅上形成波导层；n型轻掺杂区，形成在波导层上；n型重掺杂区，形成在n型轻掺杂区的两侧；光吸收层，形成在n型轻掺杂区上，光吸收层的部分上表面形成有光吸收层p型重掺杂区；二氧化硅窗口层，形成在顶层硅和波导层上，与波导层对应的二氧化硅窗口层上开设有外延窗口；与n型重掺杂区对应的二氧化硅窗口层和绝缘介质层上开设有第一电极窗口；与光吸收层p型重掺杂区对应的绝缘介质层上开设有第二电极窗口；n电极，形成在第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113488557 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202110764252.1 H01L 31/18 (2006.01) (22)申请日

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