原创力文档- 1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl‑作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl‑与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，从而有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113540294 B
(45)授权公告日 2022.08.12
(21)申请号 202110593081.0 H01L 33/14 (2010.01)
文档评论（0）