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- 2023-06-23 发布于四川
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高压低功耗带隙基准电压源,属于电学技术领域。本发明包括一个N沟道JFET,带隙核心电路、反馈电路和启动电路皆连接到N沟道JFET的源极,所述反馈电路用于调节基准带隙电压大小;所述启动电路用于产生一个初始电压用于带隙基准核心电路部分的启动。本发明可以提高整体带隙基准电路的稳定性,产生一个稳定的基准参考电压;整体功耗较小,电流小,采用电阻匹配更加精确。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113485505 B
(45)授权公告日 2022.07.29
(21)申请号 202110755846.6 (51)Int.Cl.
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