原创力文档- 1、本文档共27页，其中可免费阅读26页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种集成半导体装置的制备方法和集成半导体装置，包括：在衬底上制备包含第一材料层和第二材料层的器件材料层；从第一材料层一侧进行第一图形化刻蚀，形成暴露部分第二材料层的台阶结构；分别在第一材料层上和从台阶结构暴露出的第二材料层上制备第一电极和第二电极，并制备覆盖于第一材料层、第二材料层和第二电极的保护层；在保护层上整面制备与第一电极电气接触的键合层；将键合层键合于载体；对器件材料层进行第二图形化刻蚀，以在载体上形成至少一个半导体器件。本发明利用键合层将电气连接结构置于器件的一侧，可提高光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451147 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110684419.3
(22)申请日 2021.06.21
(71)申请人 格芯致显（杭州）科技有限公司
文档评论（0）