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本发明公开了一种原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂，其包括主催化剂CuO介晶和单原子助剂M1或双单原子助剂M1、M2，且M1、M2均以单原子分散的状态存在，其中，所述M1选自Zn、Zr、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Sn、In、Ce、Ru、Pd、Au、Pt、Rh中的任意一种，所述M2选自Ni,Au,Pt或Pd中的任意一种。本发明原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂，具有优异的催化性能，用于硅粉与HCl为原料的硅氢氯化反应，能够实现对三氯氢硅和四氯化硅的选择性调控合成，同时降低了反应温度和能耗，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113559862 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202110684524.7 (51)Int.Cl.
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