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本发明公开了一种电压保护电路，包括由N个两端连接的PMOS串联而成PMOS串联结构；各PMOS的包括N阱、形成于N阱表面的栅极结构、形成于栅极结构的第一侧的源区和N阱接触区以及第二侧的漏区；在各PMOS的N阱的周侧环绕由P阱，在P阱的表面形成有P阱接触区；各N阱和邻近的P阱之间形成寄生二极管，第N级的PMOS的寄生二极管为第一寄生二极管，第一寄生二极管承受的电压最大；PMOS串联结构的耐压为各PMOS的耐压和；通过调节第一寄生二极管对应的N阱接触区和P阱接触区之间的第一间距调节第一寄生二极管的耐
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437064 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110817625.7
(22)申请日 2021.07.20
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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